В компании говорят, что новая технология может использоваться для создания как модулей оперативной памяти, так и кеш-памяти, непосредственно интегрируемой в центральный процессор.

Инженеры IBM говорят, что их подход базируется на совершенствовании уже существующих технологий разработки памяти. Новый подход позволил не только сократить время доступа к информации в три раза, но и повысить емкость модулей за счет применения более миниатюрных транзисторов и новых материалов.

В IBM поясняют, что традиционные модули оперативной памяти формата SRAM использую шесть транзисторов для хранения одного бита данных, более распространенная память формата DRAM использует один транзистор для хранения одного бита, за счет чего данные модули обладают меньшим размером, оба эти стандарта относительно дешевы, однако они представляют собой отдельные платы, не обладающие достаточным для использования в центральном процессоре быстродействием.

Разработчики говорят, что им удалось совместить дешевизну модулей оперативной памяти со скоростью кеш-памяти, устанавливаемой в ЦП.

Новые модули IBM базируются на технологии "кремний на изоляторе" (патентованная разработка IBM, именно на ее базе будет изготовлен будущий процессор Power 6), благодаря чему удалось создать память со временем доступа 1,5 наносекунды, что в 10 раз быстрее существующих модулей DRAM.

Новые модули получили название Z-RAM и, как ожидается, они будут поставляться с будущими продуктами корпорации, другим же производителя они будут продаваться отдельно.

Также известно, что партнером по разработке новых модулей была компания AMD.